| 磷扩散法制备P型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 丁瑞钦,朱慧群,曾庆光,林民生,冯文胜,梁毅斌,梁满堂,梁达荣.磷扩散法制备P型ZnO薄膜[J].人工晶体学报,2007,36(4):859-862. |
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| 作者姓名： | 丁瑞钦 朱慧群 曾庆光 林民生 冯文胜 梁毅斌 梁满堂 梁达荣 |
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| 作者单位： | 五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门,529020;五邑大学信息学院,江门,529020 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金;广东省江门市科技计划 |
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| 摘 要： | 应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.
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| 关 键 词： | 磷扩散 p型ZnO薄膜 磁控溅射 异质ZnOp-n结 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）04-0859-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-04 |
Preparation of p-type ZnO Films by Phosphorus Diffusion |
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| DING Rui-qin,ZHU Hui-qun,ZENG Qing-guang,LIN Min-sheng,FENG Wen-sheng,LING Yi-bin,HANG Man-tang,HANG Da-rong.Preparation of p-type ZnO Films by Phosphorus Diffusion[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(4):859-862. |
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| Authors: | DING Rui-qin ZHU Hui-qun ZENG Qing-guang LIN Min-sheng FENG Wen-sheng LING Yi-bin HANG Man-tang HANG Da-rong |
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| Institution: | 1.Thin Film and Nanomaterails Institute,Wuyi University,Jiangmen 529020,China;2.Information College,Wuyi University,Jiangmen 529020,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phosphorous diffusion p-type ZnO thin film magnetron sputtering ZnO p-n heterojunction |
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