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聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究
引用本文:宋红兵,谢立青,王海燕.聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究[J].中国科学A辑,1998,41(3):241-246.
作者姓名:宋红兵  谢立青  王海燕
作者单位:(1)中国工程物理研究院核物理与化学研究所 成都610003 (2)北京师范大学低能核物理研究所 北京100875
摘    要:研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论

关 键 词:聚偏氟乙烯(PVDF)  形态结构  辐射效应  辐射损伤  残余自由基
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