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| Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 * | |
| 作者姓名： | 班大雁 杨风源 方容川 徐世红 徐彭寿 孟宪信 |
| 作者单位： | 1 中国科学技术大学物理系 合肥230026 2 合肥国家同步辐射实验室 中国科学技术大学,合肥230026 3 中国科学院长春物理研究所 长春130021 |
| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好. |
| 关 键 词： | 异质结 能带连接 同步辐射 光电子能谱 |
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