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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
高T
c
超导薄膜/砷化镓场效应器件混合微波振荡器的研制
作者姓名:
金飚兵 康琳 伍瑞新 张健羽 程其恒 吴培亨 经东 焦刚 邵凯 蒋明明 张家宗 孙敏松 王蕴仪 周岳亮 吕惠宾 许世发 何萌 王小平 杨秉川 卢剑 张其劭
作者单位:
(1) 南京大学电子科学与工程系
(2) 南京大学微结构科学技术高等研究中心南京 210093
(3) 南京邮电学院无线电工程系电磁场与微波教研室南京 210003
(4) 南京电子器件研究所 南京 210016
(5) 东南大学毫米波国家重点实验室 南京 210096
(6) 中国科学院物理研究所 北京 100080
(7) 北京有色金属研究总院 北京 100088
(8) 成都电子科技大学 成都 610054
摘 要:
研制了一种高T
c
超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa
2
Cu
3
O
7-δ
超导薄膜上。该振荡器采用共源和栅结串联反馈电路结构,以GaAs MESFET(NE72084)为负阻元件,利用高品质因数的超导微带谐振器作为稳频元件。通过提高谐振器的品质因数和调节它与MESFET的耦合强度,降低了振荡器的相位噪声。相位噪声在偏离载频(10.6GHz)为10kHz时达到-87dBc/Hz。
关 键 词:
超导薄膜
超导微带谐振器
砷化镓场效应器件
微波振荡器
相位噪声
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