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| 金刚石在C60薄膜表面的成核研究 | |
| 作者姓名： | 杨国伟 袁放成 刘大军 何金田 张兵临 |
| 作者单位： | (1) 湘潭大学现代物理研究所 湘潭 411105 (2) 郑州大学物理系 郑州 450052 |
| 摘 要： | 用扫描电子显微术(SEM)研究了微波等离子体CVD生长金刚石系统,金刚石在以C60蒸发膜为抛光Si衬底中间层上的成核行为,实验证实金刚石成核于C60蒸发膜表面,同时观察到成核分布的不均匀性即成核聚集现象,并对此进行了初步分析。金刚石在C60薄膜表面的成核表现出取向生长的特征。 |
| 关 键 词： | C60 金刚石 成核 |
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