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| 深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型 | |
| 引用本文： | 陈志雄,林国滨,付刚,唐大海.深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型[J].中国科学A辑,1997,40(9):851-857. |
| 作者姓名： | 陈志雄 林国滨 付刚 唐大海 |
| 作者单位： | (1)广州师范学院物理系 广州 510400 (2)安科公司超声部 深圳 518067 |
| 摘 要： | 对650～900℃之间深度热处理ZnO压敏陶瓷的研究表明,在直流偏置电压作用下,漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值,正向伏安特性非但没有退化,反而得到改进.设想是由于热处理时,耗尽层中Zni?向外扩散速度快,以致耗尽层中Zni?浓度迅速降低,结果扩散进入晶界的氧以O′o形式得以在界面积累;原来主要由V''Zn构成的界面负电荷转变为主要由V''Zn和O′o共同构成,在偏压作用下O′o发生迁移所致.提出一个适用于深度热处理下改进的晶界缺陷模型,并由正电子寿命谱的实验数据中得到验证. |
| 关 键 词： | ZnO压敏陶瓷 热处理 晶界缺陷模型 电流蠕变 正电子湮灭 |
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