|
|||||
|
|
| GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究 | |
| 引用本文： | 姚伟国,石旺舟,林揆训,戚震中,何怡贞.GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究[J].中国科学A辑,1996,39(7):636-641. |
| 作者姓名： | 姚伟国 石旺舟 林揆训 戚震中 何怡贞 |
| 作者单位： | (1) 苏州大学物理系 苏州215006 (2) 汕头大学物理系 汕头515063 (3) 戚震中 上海交通大学信息存储中心 上海200030 (4) 中国科学院固体物理研究所 合肥230031 |
| 摘 要： | 采用单光束的Z扫描技术研究了GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光吸收和非线性光折射特性,获得了增强的三阶光学非线性响应.实验测得的非线性折射率系数为 10-3esu和非线性光吸收系数为10-1cm/W量级.研究了产生饱和吸收时的光跃迁选择定则,观察到了饱和吸收现象和双激子态的双光子吸收现象,实现其饱和吸收和双光子吸收所需的辐射光强小于104w/cm2结果表明:增强主要起源于量子限域效应,在强限域条件下,库仑作用效应被更强的限域作用所掩盖.GaAs颗粒表现出类似于二能级系统的光学非线性响应特征. |
| 关 键 词： | GaAs 光学非线性 量子限域 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 | |