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| GaAs／GaAlAs定向耦合器型行波调制器II.实验 | |
| 引用本文： | 杨建义,高桥芳浩.GaAs／GaAlAs定向耦合器型行波调制器II.实验[J].光学学报,1997,17(6):82-785. |
| 作者姓名： | 杨建义 高桥芳浩 |
| 作者单位： | [1]浙江大学信息与电子工程学系 [2]日本东京大学工学部电子工学科 |
| 摘 要： | 在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型波调制器试验，建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构参数，完成器件的制作，器件采用共平面波电极，击穿电压２８Ｖ。用１．０６μｍＹＡＧ激光器进行测试，开关电压８．５Ｖ。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性，测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于３％，且在３０ＧＨｚ下，微波传输损耗小于３０ｄＢ表明 |
| 关 键 词： | 光波导调制器 集成光学 砷化镓 镓铝砷 |
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