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| HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究· | |
| 作者姓名： | 黄龙 |
| 作者单位： | 新疆大学物理系 新疆 |
| 摘 要： | 用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. |
| 关 键 词： | III－V族化合物半导体 高能重离子辐照 正电子湮没寿命谱 N型GaP P型InP 辐照缺陷 磷化镓 磷化铟 |
| 文章编号： | 1000-2839(2003)02-0130-03 |
| 修稿时间： | 2002-12-03 |
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