| Ce∶KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响 |
| |
| 引用本文： | 郭庆林,李彦,李盼来,邓桂英,怀素芳,李旭.Ce∶KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响[J].人工晶体学报,2010,39(6). |
| |
| 作者姓名： | 郭庆林 李彦 李盼来 邓桂英 怀素芳 李旭 |
| |
| 摘 要： | 本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce∶KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响。研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1∶10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大。在最佳写入光位置,写入光强比为1∶10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大。并对实验结果进行了理论拟合与分析。
|
| 关 键 词： | 光折变 写入光 耦合位置 Ce:KNSBN晶体 有效增益 |
Influence of Writing Beam Position on the Two-wave Coupling Gain in Ce:KNSBN Crystal |
| |
| GUO Qing-lin,LI Yan,LI Pan-lai,DENG Gui-ying,HUAI Su-fang,LI Xu.Influence of Writing Beam Position on the Two-wave Coupling Gain in Ce:KNSBN Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(6). |
| |
| Authors: | GUO Qing-lin LI Yan LI Pan-lai DENG Gui-ying HUAI Su-fang LI Xu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
