| 负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构（Ⅲ）：多型性晶体表面螺旋结构的形成：碳化硅（SiC） 、石墨（C）、云母[KMg3（A1Si3O10）]（OH,F）2,碘化镉（CdI2）、氯化镉（CdCl2） |
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| 作者姓名： | 仲维卓 许桂生 等 |
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| 作者单位： | 仲维卓（中国科学院无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800） 许桂生（中国科学院无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800） 罗豪更生（中国科学院无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800） 华素坤（中国科学院无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.5983080),中国科学院无机功能材料开放实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成，提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布，配位多面体的面为层的边界，上，下层负离子配位多面体不是镜象对称的，在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a,b错开，上，下两层负离子配位多面体体呈交叉对应，从而达到稳定平衡。晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行，配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的，其叠加轨迹为螺旋或同心环结构。从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出，晶体生长基元为负离子配位多面体，由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行，所以生长速度慢，是一个显露面积大的稳态面。螺旋结构只是在该面族上显露。
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| 关 键 词： | 多型性晶体 螺旋结构 表面结构 负离子配位多面体 生长基元 |
| 文章编号： | 1000-985(2001)03-0221-06 |
| 修稿时间： | 2000-10-10 |
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