| 锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究 |
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| 引用本文： | 吴宪君,徐家跃,金蔚青. 锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(3): 350-353 |
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| 作者姓名： | 吴宪君 徐家跃 金蔚青 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | ![]()
采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.
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| 关 键 词： | 锗酸铅单晶 坩埚下降法 晶体生长 缺陷, |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)03-0350-04 |
Growth and Defects Study of Ferroelectric Lead Germanate Single Crystal |
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| WU Xian-jun,XU Jia-yue,JIN Wei-qing. Growth and Defects Study of Ferroelectric Lead Germanate Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2004, 33(3): 350-353 |
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| Authors: | WU Xian-jun XU Jia-yue JIN Wei-qing |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | lead germanate single crystal Bridgman method crystal growth defect |
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