| 以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性 |
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| 引用本文： | 许小亮,杨晓杰,谢家纯,徐传明,徐军,刘洪图,施朝淑. 以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性[J]. 发光学报, 2004, 25(3): 295-299 |
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| 作者姓名： | 许小亮 杨晓杰 谢家纯 徐传明 徐军 刘洪图 施朝淑 |
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| 作者单位： | 中国科学院结构分析重点实验室,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;中国科学技术大学,精密机械与精密仪器系,安徽,合肥,230027 |
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| 基金项目： | 国家“8 63”计划 ( 2 0 0 2AA3 13 0 3 0 )，国家“973”计划 (国科基字 [2 0 0 1] 5 1号 )，安徽省自然科学基金 ( 0 0 0 465 0 6)资助项目 |
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| 摘 要： | 分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 ,但反向特性明显优于他们的
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| 关 键 词： | 氧化锌 p-n结 硅 电流-电压特性 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)03-0295-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-19 |
ZnO p-n Junctions Grown on Silicon and Their Structural, Optical and Electrical Properties |
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| XU Xiao liang ,,YANG Xiao jie ,XIE Jia chun ,XU Chuan ming ,,XU Jun ,,LIU Hong tu ,,SHI Chao shu . ZnO p-n Junctions Grown on Silicon and Their Structural, Optical and Electrical Properties[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2004, 25(3): 295-299 |
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| Authors: | XU Xiao liang YANG Xiao jie XIE Jia chun XU Chuan ming XU Jun LIU Hong tu SHI Chao shu |
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| Affiliation: | XU Xiao liang 1,2,YANG Xiao jie 2,XIE Jia chun 2,XU Chuan ming 2,3,XU Jun 1,2,LIU Hong tu 1,2,SHI Chao shu 1,2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO p n junction silicon I V property |
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