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非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响
引用本文:宋招权,徐慧,李燕峰,刘小良.非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响[J].物理学报,2005,54(5):2198-2201.
作者姓名:宋招权  徐慧  李燕峰  刘小良
作者单位:中南大学物理学院,长沙 410083
基金项目:教育部高等学校博士学科点专项基金(批准号:20020533001)资助的课题.
摘    要:运用负本征值理论,探讨了非对角无序、维数效应对低维无序系统电子结构的影响,研究表 明,非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响很大.非对角无序主要体现出系 统的结构变化和粒子边界效应;从一维单链、准一维双链到准一维三链无序系统,电子局域 化程度加大,电子能带结构更复杂,体现出显著的维数效应. 关键词: 电子结构 低维无序系统 非对角无序 维数效应

关 键 词:电子结构  低维无序系统  非对角无序  维数效应
文章编号:1000-3290/2005/54(05)2198-04
收稿时间:1/9/2004 12:00:00 AM
修稿时间:9/6/2004 12:00:00 AM

The effects of non-diagonal disorder and dimensions in low-dimensional disordered electronic system
Song Zhao-Quan,Xu Hui,Li Yan-Feng,Liu Xiao-Liang.The effects of non-diagonal disorder and dimensions in low-dimensional disordered electronic system[J].Acta Physica Sinica,2005,54(5):2198-2201.
Authors:Song Zhao-Quan  Xu Hui  Li Yan-Feng  Liu Xiao-Liang
Abstract:Based on the negative eigenvalue theory we discuss the non-diagonal disorder and dimensional effects for the electronic structure in low-dimensional disordered systems. The result shows that: It is the non-diagonal disorder and the dimensio nal effect that strongly affects the electronic structure in the low-dimensional disordered system. The non-diagonal disordered mainly shows the changes of the structure and the boundary effects of the particles in the system. From one- dim ensional system to narrow gap one, the number of the electronic bandgap decrease s, the degree of local states increases, and the structure of the energy gap wil l be more complicated.
Keywords:electronic structure  low-dimensional disordered system  non-diagonal disorder    dimensional effect
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