| 过渡金属二硫化物/三卤化铬范德瓦耳斯异质结的反折叠能带 |
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| 引用本文： | 邓霖湄,司君山,吴绪才,张卫兵.过渡金属二硫化物/三卤化铬范德瓦耳斯异质结的反折叠能带[J].物理学报,2022(14):226-234. |
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| 作者姓名： | 邓霖湄 司君山 吴绪才 张卫兵 |
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| 作者单位： | 长沙理工大学物理与电子科学学院柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11874092)；;霍英东教育基金会第十六届高等院校青年教师基金(批准号:161005)；;湖南省杰出青年基金(批准号:2021JJ10039)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 过渡金属二硫化物MX2/三卤化铬CrX3组成的范德瓦耳斯异质结能有效操控MX2的谷极化,在能谷电子学中有广泛的应用前景.本文结合第一性原理和k投影能带反折叠方法比较研究了MoSe2/CrI3, MoSe2/CrBr3和WS2/CrBr3三种磁性范德瓦耳斯异质结的堆垛和电子结构,探索了体系谷极化产生的物理机理.计算了异质结不同堆垛的势能面,确定了稳定的堆垛构型,阐明了时间/空间反演对称破缺对体系电子结构的影响.由于轨道杂化,磁性异质结的导带情况复杂,且MoSe2/CrI3体系价带顶发生明显变化,不能与单层MX2直接对比.而借助于反折叠能带,计算清晰揭示了CrX3对MX2电子结构的影响,定量地获得了MX2的能谷劈裂,并发现层间距和应变可以有效调控能谷劈裂.当层间距减...
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| 关 键 词： | 能谷电子学 异质结 堆垛 能带反折叠 |
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