| 单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究 |
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| 引用本文： | 李璐,张养坤,时东霞,张广宇.单层二硫化钼的制备及在器件应用方面的研究[J].物理学报,2022(10):67-92. |
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| 作者姓名： | 李璐 张养坤 时东霞 张广宇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心中国科学院纳米物理与器件重点实验室;2. 中国科学院大学物理科学学院;3. 纳米材料与器件物理北京市重点实验室;4. 量子物质科学协同创新中心 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61734001,61888102,11834017)； |
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| 摘 要： | 二硫化钼(MoS2)作为一种新兴的二维半导体材料,它具有天然原子级的厚度以及优异的光电特性和机械性能,在未来超大规模集成电路中具有巨大的应用潜力.本文综述了我们课题组在过去几年中在单层MoS2薄膜研究方面所取得的进展,具体包括:在MoS2薄膜制备方面,通过氧辅助气相沉积方法,实现了大尺寸MoS2单晶的可控生长;通过独特的多源立式生长方法,实现了4 in晶圆级大晶粒高定向的单层MoS2薄膜的外延生长,样品显示出极高的光学和电学质量,是目前国际上报道的质量最好的晶圆级MoS2样品;通过调节MoS2薄膜的氧掺杂浓度,可以实现对其电学和光学特性的有效调控.在MoS2薄膜器件与应用方面,利用制备的高质量单层MoS2薄膜,实现了高性能柔性晶体管的集成,这种大面积柔性逻辑和存储器件显示出优异的电学性能;在集成多层场效应晶体管的基础上,设计,加工了垂直集成的多层全二维材料的多功能器件,充分发挥器件的组合性能...
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| 关 键 词： | 单层MoS2 化学气相沉积 生长调控 场效应晶体管 |
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