| 质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火 |
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| 引用本文： | 刘晔,郭红霞,琚安安,张凤祁,潘霄宇,张鸿,顾朝桥,柳奕天,冯亚辉.质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火[J].物理学报,2022(11):389-395. |
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| 作者姓名： | 刘晔 郭红霞 琚安安 张凤祁 潘霄宇 张鸿 顾朝桥 柳奕天 冯亚辉 |
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| 作者单位： | 1. 湘潭大学材料科学与学院;2. 西北核技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND (not and) flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注量的升高而减小.浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多,该效应在低能量质子入射时更为明显.经质子辐照后,浮栅单元的数据保存能力有明显的退化.分析认为高能质子通过与靶原子的核反应,间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转,翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异.质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤,产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道,导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.
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| 关 键 词： | flash存储器 质子辐照 单粒子翻转 多陷阱辅助导电通道 |
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