| 单层MoS2薄膜的NaCl双辅助生长方法 |
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| 引用本文： | 王奋陶,樊腾,张仕雄,孙真昊,付雷,贾伟,沈波,唐宁.单层MoS2薄膜的NaCl双辅助生长方法[J].物理学报,2022(12):487-494. |
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| 作者姓名： | 王奋陶 樊腾 张仕雄 孙真昊 付雷 贾伟 沈波 唐宁 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;2. 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2018YFE0125700)；;国家自然科学基金(批准号:61574006,61927806)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 以单层二硫化钼(MoS2)为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.合成高质量单层MoS2薄膜是科学研究及工业应用的基础.最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄膜的方法,大大提高了单层MoS2薄膜的生长速度及晶体质量.本文基于此方法,提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法,成功制备了高质量的单层MoS2薄膜.光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高.本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路.
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| 关 键 词： | 二硫化钼 化学气相沉积 氯化钠双辅助作用 单层薄膜生长 |
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