| 等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究 |
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| 引用本文： | 梁红伟,吕有明,申德振,颜建锋,刘益春,李炳辉,赵东旭,张吉英,范希武.等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究[J].人工晶体学报,2003,32(6):579-584. |
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| 作者姓名： | 梁红伟 吕有明 申德振 颜建锋 刘益春 李炳辉 赵东旭 张吉英 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家“863”高技术项目，新材料领域(2001AA31112)，中国科学院创新项目，中国科学院百人计划项目，国家自然科学基金(60176003,60278031) |
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| 摘 要： | 利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射.随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×1019/cm3减少到7.66×1016/cm3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得.通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 等离子体增强分子束外延 光致发光 量子限域效应 X射线摇摆曲线 |
| 文章编号： | 1000-985X(2003)06-0579-06 |
| 修稿时间： | 2003年7月15日 |
Study of Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by Plasma-enhanced Molecular Beam Epitaxy |
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| LIANG Hong-wei,LU You-ming,SHEN De-zhen,YAN Jian-feng,LIU Yi-chun,LI Bing-hui,ZHAO Dong-xu,ZHANG Ji-ying,FAN Xi-wu.Study of Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by Plasma-enhanced Molecular Beam Epitaxy[J].Journal of Synthetic Crystals,2003,32(6):579-584. |
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| Authors: | LIANG Hong-wei LU You-ming SHEN De-zhen YAN Jian-feng LIU Yi-chun LI Bing-hui ZHAO Dong-xu ZHANG Ji-ying FAN Xi-wu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thin films plasma-enhanced molecular beam epitaxy photoluminescence quantum confinement effect X-ray rocking curve |
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