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| ZnO(0001)表面吸附B的电子结构和光学性质研究 | |
| 作者姓名： | 张宇飞 郭志友 曹东兴 |
| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60877069)和广东省科技攻关计划(批准号:2008B010200041,2007A010500011)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似,对清洁ZnO(0001)表面及B/ZnO(0001)吸附体系进行了几何结构优化,计算了B/ZnO(0001)吸附体系的吸附能、能带结构、电子态密度和光学性质.计算结果表明:B在ZnO(0001)表面最稳定的吸附位置是T4位.吸附后B/ZnO(0001)吸附体系表面带隙有所减小,表面态的组成发生变化,n型导电特性有一定程度的减弱,同时,对紫外光的吸收能力显著增强.
关键词：
ZnO(0001)表面
B吸附
电子结构
光学性质 |
| 关 键 词： | ZnO(0001)表面 B吸附 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2010-06-22 |
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