| 多孔硅的电化学制备 |
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| 引用本文： | 钱必东,蔡生民,侯永田,何国山,张树霖.多孔硅的电化学制备[J].物理化学学报,1992,8(4):433-435. |
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| 作者姓名： | 钱必东 蔡生民 侯永田 何国山 张树霖 |
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| 作者单位： | Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871; Department of Physics, Peking University, Beijing 100871 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China |
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| 摘 要： | 单晶硅在氢氟酸溶液中阳极氧化可制得多孔硅, 多孔硅是一种以新形态存在的硅, 与单晶硅相比, 它表现出独特的物理性质和化学活性。荧光光谱峰的蓝移表明, 在p-型低掺杂衬底硅上形成的多孔硅中存在量子尺寸效应, 新近获得的Raman光谱也证实了这一点。
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| 关 键 词： | 多孔硅 电化学 荧光光谱 Raman光谱 |
| 收稿时间： | 1992-02-19 |
| 修稿时间： | 1992-03-30 |
Electrochemical Formation of Porous Silicon |
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| Qian Bi-Dong,Cai Sheng-Min,Hou Yong-Tian,He Guo-Shan,Zhang Shu-Lin.Electrochemical Formation of Porous Silicon[J].Acta Physico-Chimica Sinica,1992,8(4):433-435. |
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| Authors: | Qian Bi-Dong Cai Sheng-Min Hou Yong-Tian He Guo-Shan Zhang Shu-Lin |
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| Institution: | Department of Chemistry, Peking University, Beijing 100871; Department of Physics, Peking University, Beijing 100871 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Porous silicon Electrochemistry Photoluminescence spectrum Raman spectrum |
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