| 聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性 |
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| 引用本文： | 尹丽琴,彭俊彪.聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性[J].物理学报,2009,58(5):3456-3460. |
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| 作者姓名： | 尹丽琴 彭俊彪 |
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| 作者单位： | (1)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640; (2)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640；华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：50573024， 50433030）, 国家教育部项目 （批准号：104208）和国家重点基础研究发展计划（批准号：2009CB623604）资助的课题. |
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| 摘 要： | 运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag（P3HT：poly（3-hexylthiophene））在多种退火温度下的电容-频率变化关系，推算出样品中相应条件下的空穴迁移率，发现退火温度对空穴迁移率有明显影响，未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级，迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化，退火后样品的空穴迁移率有明显提高，约为10-3cm2/Vs数量级，此时，空穴迁移率
关键词：
空穴迁移率
聚合物
电容-频率特性
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| 关 键 词： | 空穴迁移率 聚合物 电容-频率特性 |
| 收稿时间： | 2008-10-31 |
Hole transport in polymer P3HT with different annealing temperatures |
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| Yin Li-Qin,Peng Jun-Biao.Hole transport in polymer P3HT with different annealing temperatures[J].Acta Physica Sinica,2009,58(5):3456-3460. |
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| Authors: | Yin Li-Qin Peng Jun-Biao |
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| Abstract: | Hole only devices were fabricated with the structure of ITO/PEDOT/P3HT （poly（3-hexylthiophene））/Ag. The capacitance-frequency characteristics of samples annealed at different temperatures were investigated by admittance spectroscopy technique. Hole mobilities were calculated and it was found that the hole mobility could be pronouncedly influenced by annealing. The hole mobility was enhanced to the 10-3 cm2/Vs order after annealing, while the hole mobility of the unannealed sample was just of 10-4 cm2/Vs order. The hole mobility of the annealed sample is almost unchanged under different electric field. In contrast, the hole mobility of the annealed sample showed relatively significant change with the electric field. |
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| Keywords: | hole mobility polymer capacitance-frequency characteristic |
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