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低浓度掺杂CdSe/ZnS量子点光纤光致荧光光谱特性研究
作者姓名:程成  彭雪峰  严金华
作者单位:1.浙江工业大学 应用物理系,杭州,310023
基金项目:国家自然科学基金,浙江省自然科学重点基金 
摘    要:制备了一种半导体量子点CdSe/ZnS低浓度掺杂的光纤,测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下光纤出射端的光致荧光光谱,分析了掺杂光纤长度和浓度对量子点光纤荧光光谱特性的影响.结果表明,与掺入光纤前相比,光纤中的量子点荧光发射峰值波长出现红移.在掺杂光纤长度为1~20 cm和掺杂浓度为(0.33~2.5)×10-2mg/mL的实验范围内,红移量随着掺杂光纤长度的增加和掺杂浓度的提高而增大.对给定的激励功率,荧光发射峰值强度对应有一个最佳的量子点光纤长度.对于给定的量子点光纤长度,荧光发射峰值强度对应有一个最佳的量子点掺杂浓度.

关 键 词:CdSe/ZnS量子点  量子点掺杂光纤  二次吸收-发射  光致荧光光谱
收稿时间:2008-04-15
修稿时间:2008-06-04
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