应力对(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响 |
| |
引用本文: | 王恩哥,章立源,王怀玉.应力对(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响[J].物理学报,1991(3). |
| |
作者姓名: | 王恩哥 章立源 王怀玉 |
| |
作者单位: | 中国科学物理研究所,北京大学物理系,北京大学物理系 北京,中国科学院国际材料物理中心,沈阳,北京,100871,北京,100871 |
| |
摘 要: | 考虑到应力对超薄层(GaP)_1/(InP)_1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小0.31eV.通过对辅助模型的研究,可以发现随键长应力的增大,系统带隙加宽,费密能级移动,同时计算得到的各晶位上原子的电子占有数结果清楚地反映了InP的离化程度比GaP高,最后证明这类应力超晶格(111)表面有类似的SP_z+P_x—P_y退杂化轨道存在,但是各分波轨道对它的贡献与(GaAs)_1/(AIAs)_1(001)超晶格中(001)表面的相应情况是不同的。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|