| 高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性 |
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| 作者姓名： | 张素梅 石家纬 赵世舜 胡贵军 |
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| 作者单位： | 1.吉林大学, 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林 长春,130023;2.吉林大学, 数学学院, 吉林, 长春, 130012 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaA/sGaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808nm,腔长900μm,条宽100μm,其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层,其厚度约为0.1μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响,在n+-GaAs衬底和n-Al0.5Ga0.5As下包层间加一层n+-GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。3000h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。
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| 关 键 词： | 高功率半导体激光器 远结 单量子阱 AlGaAs/GaAs |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)03-0267-05 |
| 收稿时间： | 2003-05-15 |
| 修稿时间： | 2003-05-15 |
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