| 组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响 |
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| 作者姓名： | 侯俨育 董海亮 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;山西浙大新材料与化工研究院,太原 030000;太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;山西浙大新材料与化工研究院,太原 030000;陕西科技大学材料原子·分子科学研究所,西安 710021 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61904120,21972103); |
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| 摘 要： | 为探究不同铟(In)组分InxGa1-xN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响,本文采用SiLENSe(simulator of light emitters based on nitride semiconductors)仿真软件对一系列具有不同In组分InxGa1-xN势垒的激光二极管进行研究,结果发现InxGa1-xN势垒中In组分最佳值为3%,此时结构的斜率效率最高,内部光学损耗最低,光学限制因子最大,性能最优。在具有In0.03Ga0.97N势垒的多量子阱结构基础上,设计了一种组分阶梯(composition step-graded, CSG)InGaN势垒多量子阱结构,提高了激光二极管的斜率效率和电光转换效率,增加了光场限制能力。仿真结果表明,当注入电流为120 mA时,具有CSG InGaN势垒的多量子阱结构,电光转换效率从17.7%提高至19.9%,斜率效率从1.09 mW/mA增加到1.14 mW...
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| 关 键 词： | 绿光激光二极管 光电性能 In组分 组分阶梯InGaN势垒 斜率效率 电光转换效率 |
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