| 基于Cu2S电阻开关器件的光电记忆效应 |
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| 引用本文： | 陈建彪,张凯,杨春艳,郭童童,高丽烨,徐讲文,黄春连.基于Cu2S电阻开关器件的光电记忆效应[J].分子科学学报,2023(1):35-41. |
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| 作者姓名： | 陈建彪 张凯 杨春艳 郭童童 高丽烨 徐讲文 黄春连 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(12064039)~~； |
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| 摘 要： | 硫化亚铜由于其独特的电和光学特性，被广泛应用于电阻开关存储和光伏器件.本文通过脉冲激光沉积/化学气相沉积两步法合成Cu2S薄膜，该膜由纳米颗粒构成，结晶度高，在近红外区有较好的光吸收特性.蒸镀铜电极构成Cu/Cu2S/P-Si结构忆阻器件后，器件表现出电子型双极阻变行为，其阻变机制由空间电荷限制电流和肖特基发射机制协同主导.此外，还探究了光对器件阻变行为的响应及机理.结果表明，在光照下，最大电流响应增加至暗态时的5倍.分析认为，光照使Cu/Cu2S界面处的肖特基势垒减小，在高阻态下，阻变机制由肖特基发射机制转变为空间电荷限制电流机制，并使器件电导率增加.本工作为Cu2S基光电协同响应忆阻器的研发提供了新思路.
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| 关 键 词： | 忆阻器 硫化亚铜 光电导效应 肖特基势垒 |
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