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基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关的研究
引用本文:李安,王涛.基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关的研究[J].光学与光电技术,2006,4(3):17-20.
作者姓名:李安  王涛
作者单位:华中科技大学光电子工程系,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系,武汉,430074
摘    要:研究了一种基于InGaAs/InP多量子阱的全光偏振开关,讨论了相空间填充(PSF)效应引起的激子饱和以及光学非线性,计算了在抽运光下的阱中载流子布居数随时间的变化,推导出了探测光偏振态的主轴瞬态旋转角.计算结果表明,在100 pJ飞秒脉冲抽运下该全光开关理论旋转角最大可达60°.

关 键 词:全光偏振开关  激子饱和  相空间填充  抽运-探测
文章编号:1672-3392(2006)03-0017-04
收稿时间:2006-01-19
修稿时间:2006-03-23

Transient Rotation Angle in All-Optical Polarization Switching Based on InGaAs/InP MQWs
LI An,WANG Tao.Transient Rotation Angle in All-Optical Polarization Switching Based on InGaAs/InP MQWs[J].optics&optoelectronic technology,2006,4(3):17-20.
Authors:LI An  WANG Tao
Abstract:
Keywords:all-optical polarization switching  exciton saturation  phase-space filling  pump-probe
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