首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

改性的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3陶瓷及其在超声实时显像线阵的应用
引用本文:王镜和.改性的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-PbZrO3陶瓷及其在超声实时显像线阵的应用[J].应用声学,1985,4(2):28-32.
作者姓名:王镜和
作者单位:汕头大学化学系
摘    要:Ph(Mg_(1/3)Nb_(2/3)_(0.380)Ti_(0.360)Zr_(0.260)O_3中的Pb为6%mol的Ba所置换的晶片,比置换量为5%mol的Ba,有更优良的压电性和均匀性,其K_t=0.503,K_p=0.658,N_t=2050KC·mm,tgδ=2.5×10~(-3),ρ=7.8g/cm~3,ε_(33)~T/ε_0=3188,用3%molBa和3%molSr复合置换Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_0.380Ti_(0.360)Zr_(0.260)O_3的Pb时仍保持纯Ba置换的良好均匀性和压电性,其K_t=0.504,K_p=0.660,N_t=2060KC·mm,thδ=2.5×10~(-3),ρ=7.8g/cm~3,ε_(33)~T/ε_0=3356.它们良好的压电性和均匀性合乎制作超声实时显像线阵晶片的要求.在线阵晶片中重现这些优良性能的工艺条件是现实的,因而得到实际应用.

关 键 词:超声实时显像  晶片  PbZrO3  PbTiO3  瓷片  陶瓷  置换P  压电性能  配方  均匀性
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《应用声学》浏览原始摘要信息
点击此处可从《应用声学》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号