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磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构
引用本文:胡冰,李晓娜,董闯,姜辛. 磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构[J]. 物理学报, 2007, 56(12)
作者姓名:胡冰  李晓娜  董闯  姜辛
摘    要:
β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料,颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜,合成纳米β-FeSi2/Si多层结构.通过透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段,研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系.研究结果表明,采用磁控溅射Fe/Si多层膜的方法,不需要退火就可以直接沉积得到β-FeSi2相小颗粒.β-FeSi2相颗粒尺寸在20 nm以下,小的颗粒尺寸导致发光蓝移,带隙宽度变大,Edg值约为0.94 eV.经过850 ℃的真空退火处理后,β-FeSi2相没有发生改变,颗粒尺寸变大、蓝移效果消失,β-FeSi2相小颗粒的尺寸仍小于100 nm,结构的稳定性较好.

关 键 词:β-FeSi2  磁控溅射  透射电子显微镜  半导体薄膜

Nano-β-FeSi2/a-Si multi-layered structure prepared by magnetron sputtering
Hu Bing,Li Xiao-Na,Dong Chuang,Jiang Xin. Nano-β-FeSi2/a-Si multi-layered structure prepared by magnetron sputtering[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(12)
Authors:Hu Bing  Li Xiao-Na  Dong Chuang  Jiang Xin
Abstract:
Keywords:
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