| ZnO掺杂对PVK∶Ir(ppy)3体系发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 杨少鹏,邱晓丽,赵方超,秦向东,庞学霞,傅广生.ZnO掺杂对PVK∶Ir(ppy)3体系发光特性的影响[J].人工晶体学报,2009,38(2):317-320. |
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| 作者姓名： | 杨少鹏 邱晓丽 赵方超 秦向东 庞学霞 傅广生 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省博士基金，河北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶ Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的掺杂浓度x分别为0;,1;,2;,5;,10;,研究了它们的电致发光特性.结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1;,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5 V降到了10.5 V.当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降.
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| 关 键 词： | 磷光 有机电致发光 ZnO |
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