用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度 |
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引用本文: | 付建民.用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度[J].应用光学,1988(3). |
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作者姓名: | 付建民 |
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作者单位: | 西安应用光学研究所 |
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摘 要: | 砷化镓是当前除硅之外应用最广泛的半导体材料之一。尤其在微波器件、半导体激光器及光电器件等领域占有重要的地位。在器件的设计及制备中,少数载流子扩散长度是一项重要参数。用表面光电压法测试砷化镓少数载流子扩散长度,具有测试装置比较简单,又有非破坏性的特点。这里,虽然仅对于光电器件进行讨论,但可供其它有关方面参考。
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