| 分子导体θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的合成、结构和导电性 |
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| 作者姓名： | 陈红余 方奇 许文 薛刚 于文涛 徐翠英 张金彪 张德清 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;中国科学院化学研究所,北京,100080;中国科学院化学研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No. 20172034)、中国科学院有机固体开放实验室开放课题资助项目. |
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| 摘 要： | 用恒电流电化学结晶的方法合成了一种新的基于电子给体BEDT-TTF(双亚乙基二硫四硫富瓦烯) 的电荷转移盐θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O (ET为BEDT-TTF的简写,C7H7SO-3=对甲苯磺酸根).用四圆X衍射的方法测定了θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的结构.晶体属于三斜晶系,P-1空间群;a=0.8682(1) nm, b= 1.2027(1) nm, c=2.5890(3) nm, α=87.025(6)°, β=89.117(8)°, γ=69.071(7)°, V=2.5216(5) nm3, R=0.0580.晶体中ET自由基沿a轴方向堆积成柱,相邻两个分子柱中的ET分子平面的夹角为49.30°.在b轴方向存在着分子柱侧向间的S…S近距作用.ET阳离子层与对甲苯磺酸根阴离子层沿c轴方向上交替排列.位于阳离子层与阴离子层之间的许多H2O形成了有利于晶体导电性的二维氢键网络.θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O在(001)晶面上某方向上的室温导电率为0.011 S·cm-1,所测变温电导曲线表明,该晶体在120～278 K温度区间内表现为半导体导电行为,导电激活能Ea=0.316 eV.从278～286 K表现为金属导电性.在276 K附近存在金属-半导体相变.
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| 关 键 词： | ET 合成 结构 导电性 |
| 修稿时间： | 2003-12-24 |
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