| Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究 |
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| 作者姓名： | 魏群 杨子元 王参军 许启明 |
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| 作者单位： | 西安建筑科技大学材料科学与工程学院, 西安 710055;宝鸡文理学院物理系, 宝鸡 721007;宝鸡文理学院物理系, 宝鸡 721007;宝鸡文理学院物理系, 宝鸡 721007;西安建筑科技大学材料科学与工程学院, 西安 710055 |
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| 基金项目： | 陕西省科技计划(批准号: 2006K04-G29)、陕西省教育厅专项科研计划(批准号：05JK139)和宝鸡文理学院重点科研项目(批准号：ZK2505,ZK0620)资助的课题. |
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| 摘 要： | 提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上,采用全组态完全对角化方法,对Al2O3晶体中V3+的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明,V3+掺入Al2O3晶体后,上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al2O3:V3+晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上,研究了三角晶场下3d2离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现,自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的,微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.
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| 关 键 词： | Al2O3:V3+晶体 局域结构 自旋哈密顿参量 磁相互作用 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(04)/2393-06 |
| 修稿时间： | 2006-07-24 |
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