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Epitaxial growth of Ge_(1-x)Sn_x films with x up to 0.14 grown on Ge(00l) at low temperature
Authors:Tao Ping;Huang Lei;Cheng H H;Wang Huan-Hua;Wu Xiao-Shan
Abstract:
Keywords:GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements
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