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杂志ISSN号
自组织生长锗硅量子点及其特性
作者姓名:
秦捷 蒋最敏
作者单位:
复旦大学应用表面物理国家重点实验室
摘 要:
半导体量子点的研究是当今物理学研究的热点之一.文章阐述了锗硅量子点自组织生长方法的基本原理和技术,并介绍了所制备的量子点材料的形貌结构、光学特性、电学特性及今后的发展方向.
关 键 词:
Ge/Si量子点,自组织生长
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