|
|||||
|
|
| 自组织生长锗硅量子点及其特性 | |
| 引用本文： | 秦捷,蒋最敏.自组织生长锗硅量子点及其特性[J].物理,1998,27(6):365-370. |
| 作者姓名： | 秦捷 蒋最敏 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 半导体量子点的研究是当今物理学研究的热点之一．文章阐述了锗硅量子点自组织生长方法的基本原理和技术，并介绍了所制备的量子点材料的形貌结构、光学特性、电学特性及今后的发展方向． |
| 关 键 词： | Ge／Si量子点，自组织生长 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |