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| 直拉硅单晶原生微缺陷的观察 | |
| 引用本文： | 麦振洪,崔树范,傅全贵,林汝淦,张金福.直拉硅单晶原生微缺陷的观察[J].物理学报,1983,32(5):685-688. |
| 作者姓名： | 麦振洪 崔树范 傅全贵 林汝淦 张金福 |
| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 对沿<100>方向生长的p型和沿<111>方向生长的n型宏观无位错直拉硅单晶,用铜缀饰X射线形貌术和腐蚀法观察到两种不同类型的微缺陷,对n型硅单晶还观察到一种特殊组态的微缺陷。对观察到的微缺陷的分布、组态进行了初步的分析。本文首次采用X射线透射投影和截面形貌术对硅单晶原生微缺陷进行直接观察,获得了相应的微缺陷图。所观察到的微缺陷的组态、尺度、分布等与铜缀饰X射线透射形貌图所示结果一致。
关键词： |
| 收稿时间： | 3/2/1982 12:00:00 AM |
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