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| 半导体与超晶格的数学模型及其分析Ⅱ:分析 | |
| 引用本文： | 肖玲,邱又春,张凯军.半导体与超晶格的数学模型及其分析Ⅱ:分析[J].数学进展,2003,32(2). |
| 作者姓名： | 肖玲 邱又春 张凯军 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院数学与系统科学研究院,北京,100080,中国 2. 法国Paul Sabatier大学工业与数学物理实验室,图卢兹,31062,法国 3. 东北师范大学数学系,长春,130024,中国; Institut für Mathematik,Universitat Wien,Strudlhogasse 4,A-1090,Wien,Austria |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，the Innovation Funds of AMSS;CAS of China，the Austrian government START-prize project "Nonlinear Schrodinger and Quantum Boltzmann Equations"，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 本文先介绍等熵可压缩Euler方程的相关补偿列紧框架.然后,我们综述基于补偿列紧方法的关于半导体流体动力模型的诸如整体弱解,松弛极限和拟中性-松弛极限的一些新近数学结果. |
| 关 键 词： | 半导体流体动力模型 补偿紧性 弱解 渐近极限 |
On Mathematical Modelling and Analysis in Semiconductors and Superlattices Part Ⅱ: Analysis |
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| Abstract: | In this article we first introduce the relevant compensated compactnessframework on the Euler equations for an isentropic compresssible fluid. Then some recentmathematical results based on the methods of compensated compactness to the hydrody-namic model for semiconductors such as global weak solutions and relaxation limits as well asquasineutral-relaxation limits are reviewed. |
| Keywords: | semiconductor hydrodynamic model compensated compactness weaksolutions aymptotic limits |
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