| 掺铒硅的发光特性及机理 |
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| 引用本文： | 万钧,王迅. 掺铒硅的发光特性及机理[J]. 物理, 1999, 28(3): 157-162 |
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| 作者姓名： | 万钧 王迅 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
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| 摘 要： | Ｓｉ中掺Ｅｒ是利用Ｅｒ离子的发光来制造Ｓｉ基发光二极管的一条途径，文章对掺Ｅｒ的一些基本物理特性，如铒在硅中的电子结构，电学特性以及光致发光和电致发光的机理等，根据目前研究的进展进行了综合介绍。
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| 关 键 词： | 硅 掺铒 发光二极管 半导体杂质 机理 |
THE CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF LUMINESCENCE FROM Er DOPED Si |
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| Wan Jun Wang Xun. THE CHARACTERISTICS AND MECHANISM OF LUMINESCENCE FROM Er DOPED Si[J]. Physics, 1999, 28(3): 157-162 |
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| Authors: | Wan Jun Wang Xun |
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| Abstract: | Erbium doped silicon is a promising Si-based light emitting material.Recent progress in the study of the fundamental physical characteristics of Er doped Si,such as the electronic structure,electrical properties and luminescence mechanism,are reviewed. |
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| Keywords: | Er doped Si light emitting diode semiconductor impurity engineering |
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