VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ) |
| |
引用本文: | 浦琮,周伟舫.VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)[J].物理化学学报,1994(4). |
| |
作者姓名: | 浦琮 周伟舫 |
| |
作者单位: | 复旦大学化学系!上海200433 |
| |
摘 要: | 用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液(22℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质,合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响,从量子效率和电位的关系可求Pb,Pb-lat%As(at%表示原子百分比,全文同),Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜中t-Pbo的施主密度(ND)分别为9.3×1015,1.0×1016,3.1×1016和1.3×1017cm-3,平带位分别为-0.20,-0.22,-0.28和-0.08V(vs.Hg/Hg2SO4).比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-Pbo的ND(从而自由电子密度)和膜中t-Pbo的生长速率的影响,可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则.
|
关 键 词: | 阳极铅(Ⅱ)氧化物膜 半导体 光电化学电流法 Hauffe规则 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |