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| 非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率 | |
| 作者姓名： | 赵振堂 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所!北京,100039 |
| 基金项目： | 中国科学院“九五”基础性研究项目 |
| 摘 要： | 通过分析束流频谱与高频腔高次模的相互作用,提出了计算单束流和双束流储存环中非均匀束团产生的高频腔高次模功率的方法,推导出了这两种情况下的一般通用公式,并对所得到的解析结果进行了比较和讨论. |
| 关 键 词： | 高频腔 束流 高次模 阻抗 功率 |
| 收稿时间： | 1998-07-08 |
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