| 两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析 |
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| 作者姓名： | 周平 黄昱勇 林宇翔 李海峰 刘旭 顾培夫 |
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| 作者单位： | 浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学现代光学国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (编号 :6 9976 0 2 6 ) |
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| 摘 要： | 比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟(ITO)薄膜在红外波段的光学特性实验发现,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率在波长1550nm附近的透过率可达86%以上,消光系数约为004,方电阻最低为100Ω/□.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 光学特性 磁控溅射 电子束加热蒸发 |
| 收稿时间： | 2001-12-11 |
| 修稿时间： | 2001-12-11 |
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