超高真空系统中GaAlAs光电阴极的重新铯化研究 |
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作者姓名: | 张益军 甘卓欣 张瀚 黄帆 徐源 冯琤 |
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作者单位: | 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研基金( |
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摘 要: | 为了探索在超高真空系统中使用稳定性和重复性好的光电阴极,开展了金属有机化学气相沉积生长的反射式GaAlAs和GaAs光电阴极的激活实验和重新铯化实验,测试了Cs/O激活后和重新补Cs后的光谱响应曲线和光电流衰减曲线.实验结果表明,在100 lx白光照射条件下,超高真空环境中的GaAlAs光电阴极在Cs/O激活后和重新补Cs激活后的光电流衰减寿命相比GaAs光电阴极更长,并且在多次补Cs激活后呈现较一致的蓝绿光响应能力和光电流衰减寿命,体现了GaAlAs光电阴极在真空系统中稳定性和可重复性使用方面具有的优越性,为海洋真空探测器件和真空电子源领域的研究提供了实验指导.
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关 键 词: | GaAlAs光电阴极 光电流衰减 重新铯化 光谱响应 |
收稿时间: | 2014-04-01 |
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