| 考虑相界效应的Ni基单晶合金纳米压痕模拟 |
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| 作者姓名： | 胡兴健 郑百林 胡腾越 杨彪 贺鹏飞 岳珠峰 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学应用力学研究所, 上海 200092;
2. 西北工业大学力学与土木建筑学院, 西安 710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金国际(地区)合作交流项目( |
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| 摘 要： | 利用分子动力学方法分别模拟金刚石压头压入Ni模型和Ni基单晶合金γ/γ′模型的纳米压痕过程,通过计算得到两种模型[001]晶向的弹性模量及硬度.采用中心对称参数分析不同压入深度时两种模型内部位错形核、长大过程以及Ni基单晶合金γ/γ′(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:压入深度0.641 nm之前,两种模型的压入载荷-压入深度曲线相似,说明此时相界面处的错配位错对纳米压痕过程的影响很小;压入深度0.995 nm时,在错配位错处发生位错形核,晶体在γ相中沿着{111}面滑移,随即导致Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷的下降,并在压入深度达到1.487 nm之前低于Ni模型相同压入深度时的压入载荷;压入深度从1.307 nm开始,由于相界面错配位错的阻碍作用,Ni基单晶合金γ/γ′模型压入载荷上升速度较快.
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| 关 键 词： | 纳米压痕 分子动力学 错配位错 |
| 收稿时间： | 2014-01-16 |
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