| Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 徐朝鹏 王永贞 张伟 王倩 吴国庆 |
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| 作者单位： | 燕山大学信息科学与工程学院, 河北省特种光纤与光纤传感重点实验室, 秦皇岛 066004 |
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| 基金项目： | 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:13961103D);中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金(批准号:CJ20120208);河北省高层次人才资助项目(批准号:C2013003040);燕山大学青年教师自主研究计划(批准号:13LGA011)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂与不同浓度的Tl原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型,分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明:Tl掺杂浓度越小,In1-xTlxI形成能越低,晶体结构越稳定;Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动,而价带顶位置基本没变,导致禁带宽度变宽,InI吸收光谱出现明显蓝移现象.
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| 关 键 词： | Tl掺杂InI 电子结构 吸收光谱 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2014-01-16 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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