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| 磁场下MgB2的电导涨落效应 | |
| 引用本文： | 李慧玲,阮可青,李世燕,莫维勤,樊荣,罗习刚,陈仙辉,曹烈兆.磁场下MgB2的电导涨落效应[J].低温物理学报,2001,23(4):269-274. |
| 作者姓名： | 李慧玲 阮可青 李世燕 莫维勤 樊荣 罗习刚 陈仙辉 曹烈兆 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，NKBRSF-G19990646， |
| 摘 要： | 测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系，测量结果表明，磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ（H）符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程，MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构，由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维，可推知MgB2中存在较强的层间耦合。 |
| 关 键 词： | 磁场 MgB2 硼化镁 电导 涨落效应 层间耦合 超导体 高温 |
| 修稿时间： | 2001年10月11 |
THE EFFECT OF FLUCTUATIONMAGNETOCONDUCTANCE IN MgB2 |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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