缺陷石墨烯吸附Au、Ag、Cu的第一性原理计算 |
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作者姓名: | 米传同 刘国平 王家佳 郭新立 吴三械 于金 |
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作者单位: | 1. 东南大学材料科学与工程学院, 南京 211189;
2. 东南大学江苏省先进金属材料高技术研究重点实验室, 南京 211189;
3. 南京大学化学化工学院, 南京 210093 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(21173041)资助项目 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论的投影缀加波方法研究了Au、Ag、Cu吸附在缺陷石墨烯单侧和双侧的体系,对吸附体系的吸附能、磁性、电荷转移和电子结构进行了计算和分析. 缺陷石墨烯吸附Au、Ag、Cu体系的吸附能比本征石墨烯增加2 eV以上,说明三种金属原子更容易吸附在缺陷位置;吸附体系的电荷密度差分和电子结构的结果表明,Au、Ag、Cu与缺陷石墨烯之间均为化学吸附. 计算吸附体系的磁性发现,单侧吸附时三种吸附体系均有磁性,磁矩大约为1μB;双侧吸附时,三种吸附体系磁矩大约为2μB.
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关 键 词: | 缺陷石墨烯 吸附能 磁性 电子结构 第一性原理 |
收稿时间: | 2014-03-05 |
修稿时间: | 2014-05-20 |
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