| 60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响 |
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| 引用本文： | 杨丽侠,杜 磊,包军林,庄奕琪,陈晓东,李群伟,张 莹,赵志刚,何 亮.60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响[J].物理学报,2008,57(9):5869-5874. |
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| 作者姓名： | 杨丽侠 杜 磊 包军林 庄奕琪 陈晓东 李群伟 张 莹 赵志刚 何 亮 |
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| 作者单位： | (1)西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60676053)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200603)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在肖特基二极管(Schottky barrier diode，SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上，利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型，深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响. 研究结果表明，辐照诱生新的界面态，改变界面态密度分布，进而调制了肖特基势垒高度，增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因，也是1/f噪声剧烈增加的主要原因. 正因为如此，噪声与器件退化存在相关性，即噪声拟合参数B越大，偏离标准值越多，器件可靠性越差，抗辐照
关键词：
肖特基二极管
f噪声')" href="#">1/f噪声
60Co γ射线')" href="#">60Co γ射线
界面态
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| 关 键 词： | 肖特基二极管 1/f噪声 60Co γ射线 界面态 |
| 收稿时间： | 2007-10-10 |
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