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| 半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜 | |
| 引用本文： | 任琮欣,陈国梁.半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜[J].低温物理学报,1992,14(1):31-35. |
| 作者姓名： | 任琮欣 陈国梁 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 200050 (任琮欣，陈国樑，李贻杰，陈建民，杨絜，张骥华，陈业新，陈正秀，汪乐)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室 200050(邹世昌) |
| 摘 要： | 直流磁控溅射使用半熔融大直径平面烧结靶,在(100)SrTiO_3衬底上原位生长 YBa_2Cu_3·O_(7-δ)超导薄膜,可以很方便地和重复地获得临界电流密度高(J_c=3.4×10~6A/cm~2在77KB=0时)、微波表面电阻 R_s 较低(在77K,50.9GHz 时,R_s≤37mΩ)和均匀区较大的超导薄膜.X 光衍射,X 光双晶衍射摇摆曲线测量和透射电子显微镜分析结果表明,所得的 YBCO 薄膜为高度 c 取向的单晶外延膜. |
| 关 键 词： | 超导 薄膜 磁控 溅射沉积 YBCO |
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